光电芯片特色工艺线
工艺线概况
厂房总面积15000 ㎡ ，其中超净间面积6000 ㎡（百级区2200 ㎡，千级区3800 ㎡）。工艺线涵盖光刻、干法刻蚀、薄膜沉积、湿法工艺、异质异构集成、表征与测试等6大核心工艺，为光电芯片研发与制造提供全流程支持。
2楼超净间（平台公用设备）
百级区1200㎡
千级区2000㎡
3楼超净间（可对外租赁）
百级区1000㎡
千级区1800㎡
工艺线定位
以适合量产的半导体装备为基础，打造一条国际一流水准的开放式光电芯片特色工艺线，支撑科研创新与产业应用，助力光电芯片从研发向产业的快速转化。
关键技术研发
研制
实验器件测试
器件设计
验证
产品测试
关键工艺
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01
光刻
扫描式光刻
双面光刻
无掩膜光刻
电子束光刻
02
干法刻蚀
介质层刻蚀
金属层刻蚀
离子束刻蚀
深硅刻蚀
飞秒激光诱导刻蚀
03
薄膜
电子束镀膜
反应溅射
原子层沉积
介质层沉积
热处理
04
湿法工艺
湿法刻蚀
湿法清洗
电化学沉积
化学机械抛光
05
异质异构集成
TSV
TGV
W2W键合
D2D键合
D2W键合
06
表征与测试
Multi-SEM
XCT
XRF
TEM
FIB
AFM
XRD
07
外延沉积
GaAs
InGaAs
InGaAsP
InGaAlAs
InP
08
纳米压印
模板制备
模板拼接
模板复制
纳米压印
09
离子注入
He⁺、H⁺
Ar⁺改性
BF₃、N₂掺杂
10
掩模板
电子束曝光
激光直写
关键尺寸测量
应用方向
微纳光学
Ar/vr眼镜
超透镜
阵列波导与光栅
生物芯片
生命体征监测
基因工程
生物分子分析
光电异质晶圆
薄膜铌酸锂晶圆
绝缘层上SiC晶圆
化合物硅基复合晶圆
3D封装
芯片实验室
系统级封装
光电共封装
片上光电系统
激光雷达
光O/I芯片
光学陀螺仪